Investigation of the sulfur doping profile in femtosecond-laser processed silicon

Guenther, Kay-Michael; Gimpel, Thomas; Kontermann, Stefan; Schade, Wolfgang GND

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Einordnung

Erschienen in:
Applied physics letters
Bd. 102, H. 20 (22.05.2013), S. 202104
Band:
102
Heft:
20
Datum der Veröffentlichung:
22.05.2013
Sprache:
Englisch
Ressourcentyp:
Text
Link URL:
http://dx.doi.org/10.1063/1.4807679
Einrichtung:
Interdisziplinäre wissenschaftliche Einrichtungen und Arbeitsgruppen, Energie-Forschungszentrum Niedersachsen

Zitieren

Zitierform:

Guenther, Kay-Michael / Gimpel, Thomas / Kontermann, Stefan / et al: Investigation of the sulfur doping profile in femtosecond-laser processed silicon. 2013.

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