3-D Quantum Numerical Simulation of Transient Response in Multiple-Gate Nanowire MOSFETs Submitted to Heavy Ion Irradiation

Munteanu, Daniela; Autran, Jean-Luc

Vorschau

Einordnung

Erschienen in:
Numerical simulations
(2011), S. 67-88
DOI:
10.5772/13231
PPN:
869663224
Sprache:
Englisch
Ressourcentyp:
Text
DDC-Sachgruppe der DNB:
510 Mathematik
Link URL:
http://www.intechopen.com/books/numerical-simulations-applications-examples-and-theory/3-d-quantum-numerical-simulation-of-transient-response-in-multiple-gate-nanowire-mosfets-submitted-t

Zitieren

Zitierform:

Munteanu, Daniela / Autran, Jean-Luc: 3-D Quantum Numerical Simulation of Transient Response in Multiple-Gate Nanowire MOSFETs Submitted to Heavy Ion Irradiation.

Zugriffsstatistik

Gesamt:
Volltextzugriffe:
Metadatenansicht:
12 Monate:
Volltextzugriffe:
Metadatenansicht:

Grafik öffnen

Rechte

Nutzung und Vervielfältigung:

Export

BibTeX, MODS, MARCXML, RIS, ISI, PICA, CSV, DC